Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TMBT3906,LM
TMBT3906,LM

TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.34 грн
6000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TMBT3906,LM за ціною від 2.57 грн до 11.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Toshiba 92D319E11DEDFE21694D76D54C7D7616BA668EB0CA66DEF54882CA9BA1433060.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 7293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906
TMBT3906,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 12637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
44+6.94 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM 92D319E11DEDFE21694D76D54C7D7616BA668EB0CA66DEF54882CA9BA1433060.pdf
TMBT3906,LM
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 7293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.