TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.09 грн |
| 6000+ | 1.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.
Інші пропозиції TMBT3906,LM за ціною від 1.61 грн до 13.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TMBT3906,LM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 320 mW |
на замовлення 18479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TMBT3906,LM | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification |
на замовлення 8357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TMBT3906,LM | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 1000mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |