Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TMBT3906,LM
TMBT3906,LM

TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.98 грн
6000+1.70 грн
9000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Power - Max: 320 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TMBT3906,LM за ціною від 2.25 грн до 10.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.78 грн
49+6.08 грн
100+3.77 грн
500+2.56 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Toshiba 92D319E11DEDFE21694D76D54C7D7616BA668EB0CA66DEF54882CA9BA1433060.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM docget.jsp?did=29746&prodName=TMBT3906
TMBT3906,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Power - Max: 320 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.78 грн
49+6.08 грн
100+3.77 грн
500+2.56 грн
1000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM 92D319E11DEDFE21694D76D54C7D7616BA668EB0CA66DEF54882CA9BA1433060.pdf
TMBT3906,LM
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 7887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.