Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TMBT3906,LM
TMBT3906,LM

TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906_datasheet_en_20180517.pdf?did=29746&prodName=TMBT3906 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
6000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TMBT3906,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

Інші пропозиції TMBT3906,LM за ціною від 1.25 грн до 11.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Виробник : Toshiba TMBT3906_datasheet_en_20180517-1916482.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
на замовлення 9099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.76 грн
53+6.41 грн
122+2.42 грн
1000+2.20 грн
3000+1.61 грн
9000+1.39 грн
24000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TMBT3906_datasheet_en_20180517.pdf?did=29746&prodName=TMBT3906 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
на замовлення 19185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.19 грн
500+2.85 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
TMBT3906,LM TMBT3906,LM Виробник : Toshiba 14007202761588291400717512231551tmbt3906_datasheet_en_20180517.pdf.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.2A 1000mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.