TP0101K-T1-GE3
Виробник:
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0101K-T1-GE3
Description: VISHAY - TP0101K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 580 mA, 0.42 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 580, Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 350, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 700, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TP0101K-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TP0101K-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH D-S 20V TO236 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
TP0101K-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - TP0101K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 580 mA, 0.42 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 580 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 350 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TP0101K-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH D-S 20V TO236
Description: MOSFET P-CH D-S 20V TO236
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TP0101K-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP0101K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 580 mA, 0.42 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 580
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - TP0101K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 580 mA, 0.42 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 580
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 700
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.