TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 597000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.88 грн |
| 6000+ | 9.01 грн |
| 9000+ | 8.78 грн |
| 15000+ | 7.95 грн |
| 21000+ | 7.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції TP0610K-T1-E3 за ціною від 10.19 грн до 33.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP0610K-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TP0610K-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TP0610K-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 306396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TP0610K-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
на замовлення 599317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TP0610K-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - TP0610K-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 185mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TP0610K-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
TP0610K-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| TP0610K-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.115A Pulsed drain current: -0.8A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.14W Technology: TrenchFET® Version: ESD Gate charge: 1.7nC |
товару немає в наявності |