TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.06 грн |
| 6000+ | 9.75 грн |
| 9000+ | 9.29 грн |
| 15000+ | 8.23 грн |
| 21000+ | 7.94 грн |
| 30000+ | 7.66 грн |
| 75000+ | 7.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TP0610K-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V.
Інші пропозиції TP0610K-T1-E3 за ціною від 7.87 грн до 47.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TP0610K-T1-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 278287 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TP0610K-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 542861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TP0610K-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 278287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 24.24 грн |
| 23+ | 13.89 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| 500+ | 10.56 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| 3000+ | 9.80 грн |
| 6000+ | 7.87 грн |
| TP0610K-T1-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 542861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.37 грн |
| 11+ | 28.34 грн |
| 100+ | 18.21 грн |
| 500+ | 13.00 грн |
| 1000+ | 11.67 грн |