Продукція > VISHAY SILICONIX > TP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix

tp0610k.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.76 грн
6000+10.37 грн
9000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TP0610K-T1-GE3 за ціною від 9.01 грн до 52.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
52+13.68 грн
56+12.66 грн
57+12.54 грн
100+11.68 грн
250+10.59 грн
500+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.05 грн
500+14.48 грн
1000+11.75 грн
5000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992D3DD0D5280C7&compId=tp0610k.pdf?ci_sign=4a3f6a5545dae675547d79b23b846d0493f2cbdd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.115A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.84 грн
20+19.89 грн
100+14.40 грн
250+12.73 грн
500+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992D3DD0D5280C7&compId=tp0610k.pdf?ci_sign=4a3f6a5545dae675547d79b23b846d0493f2cbdd Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -0.115A; 0.14W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.115A
Pulsed drain current: -0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 563 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.01 грн
12+24.78 грн
100+17.28 грн
250+15.27 грн
500+13.94 грн
1000+12.79 грн
3000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tp0610k.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.31 грн
15+23.45 грн
100+16.19 грн
500+14.20 грн
1000+12.45 грн
3000+9.16 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.39 грн
11+30.15 грн
100+19.37 грн
500+13.82 грн
1000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.09 грн
28+31.10 грн
100+20.05 грн
500+14.48 грн
1000+11.75 грн
5000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Виробник : Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.