Продукція > VISHAY SILICONIX > TP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix

tp0610k.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.14 грн
6000+9.82 грн
9000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 185mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції TP0610K-T1-GE3 за ціною від 11.76 грн до 55.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
932+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.80 грн
36+21.48 грн
50+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.43 грн
500+30.75 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay Siliconix tp0610k.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.34 грн
500+13.09 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.72 грн
21+37.47 грн
500+30.79 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay Semiconductors tp0610k.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 Vishay tp0610k.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
932+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 932 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+24.80 грн
36+21.48 грн
50+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
378+37.43 грн
500+30.75 грн
1000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.71 грн
11+28.54 грн
100+18.34 грн
500+13.09 грн
1000+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+55.72 грн
21+37.47 грн
500+30.79 грн
1000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 16704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TP0610K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 tp0610k.pdf
TP0610K-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.185A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TP0610K-T1-GE3 VISH-S-A0010613246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TP0610K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP0610K-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 185 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.