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Технічний опис TP86R203NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm.
Інші пропозиції TP86R203NL,LQ(S за ціною від 24.66 грн до 24.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
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TP86R203NL,LQ(S | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TP86R203NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 1.9W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
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TP86R203NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 1.9W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TP86R203NL,LQ(S |
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Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.66 грн |
| TP86R203NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TP86R203NL,LQ(S |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)