Продукція > TOSHIBA > TP86R203NL,LQ(S
TP86R203NL,LQ(S

TP86R203NL,LQ(S TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TP86R203NL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TP86R203NL,LQ(S за ціною від 54.40 грн до 128.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TP86R203NL,LQ(S TP86R203NL,LQ(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.81 грн
11+81.88 грн
100+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TP86R203NL,LQ(S
TP86R203NL,LQ(S
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP86R203NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 19 A, 5400 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.81 грн
11+81.88 грн
100+54.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.