Технічний опис TP89R103NL,LQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TP89R103NL,LQ(S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TP89R103NL,LQ(S | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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TP89R103NL,LQ(S | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| TP89R103NL,LQ(S |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TP89R103NL,LQ(S |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - TP89R103NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0078 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)