на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 945+ | 12.39 грн |
| 953+ | 12.29 грн |
| 992+ | 11.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8067-H,LQ(S Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TPC8067-H,LQ(S за ціною від 15.4 грн до 16.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8067-H,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
TPC8067-H,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
TPC8067-H,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFET N-Ch 30V FET 9A 1.9W 690pF |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
TPC8067-H,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 10 V |
товар відсутній |