Продукція > UMW > TPC8107
TPC8107

TPC8107 UMW

7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+70.82 грн
10+42.32 грн
100+27.61 грн
500+19.97 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPC8107 UMW

Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Інші пропозиції TPC8107

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPC8107 ---- 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf SO-8 MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8107 Toshiba 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8107 TPC8107 UMW 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8107 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf
Виробник: ----
SO-8 MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8107 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf
Виробник: Toshiba
SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8107 7af3ded39ab9558d8ca58105819187a1.pdf
TPC8107
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.