TPC8109(TE12L

Виробник:

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис TPC8109(TE12L

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPC8109(TE12L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
TPC8109(TE12L)			на замовлення 1929 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TPC8109-TE12L			на замовлення 5930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TPC8109TE12L			на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
TPC8109(TE12L)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP (5.5x6.0) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
TPC8109(TE12L)	Виробник : Toshiba	Toshiba	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.