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Технічний опис TPC8120 Toshiba
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 18, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції TPC8120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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TPC8120 | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 18 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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TPC8120 | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 1.9 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| TPC8120 |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
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| TPC8120 |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - TPC8120 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.0026 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.9
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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