Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPC8125,LQ(S
TPC8125,LQ(S

TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8125_datasheet_en_20131101.pdf?did=1895&prodName=TPC8125 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPC8125,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPC8125,LQ(S за ціною від 20.79 грн до 84.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+34.45 грн
386+33.06 грн
500+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1838CE96C79C143&compId=TPC8125.pdf?ci_sign=1090c891e9d28446dd5e5979a6ca31bbf6e2ec87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64nC
Power dissipation: 1W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.91 грн
10+44.22 грн
100+29.87 грн
250+25.97 грн
500+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPC8125_datasheet_en_20131101.pdf?did=1895&prodName=TPC8125 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 10 V
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.27 грн
10+58.91 грн
100+39.35 грн
500+28.78 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1838CE96C79C143&compId=TPC8125.pdf?ci_sign=1090c891e9d28446dd5e5979a6ca31bbf6e2ec87 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Case: SOP8
Gate-source voltage: -25...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 64nC
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.49 грн
10+55.11 грн
100+35.84 грн
250+31.16 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 7B8BC878C7580C45C907B46B69E7583B2E43D1F9D83762E98424EAFE19EE9F76.pdf MOSFETs P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W
на замовлення 7427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.91 грн
10+58.44 грн
100+33.93 грн
500+26.44 грн
1000+24.21 грн
2500+22.70 грн
5000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+84.89 грн
213+59.97 грн
500+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8125,LQ(S TPC8125,LQ(S Виробник : Toshiba 231tpc8125_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.