TPC8128



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Технічний опис TPC8128

Description: TOSHIBA - TPC8128 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 16, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).

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TPC8128 Toshiba Toshiba
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TPC8128 TPC8128 TOSHIBA 1339272.pdf Description: TOSHIBA - TPC8128 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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TPC8128
Виробник: Toshiba
Toshiba
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TPC8128 1339272.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8128 - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0039 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
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