Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPC8129,LQ(S
TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Mosfets_Prod_Guide.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPC8129,LQ(S за ціною від 16.34 грн до 73.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Mosfets_Prod_Guide.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.57 грн
10+38.54 грн
100+26.07 грн
500+19.23 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba 2331docget.jsptypedatasheetlangenpidtpc8129.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+73.80 грн
500+55.17 грн
1000+35.87 грн
2500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba 2331docget.jsptypedatasheetlangenpidtpc8129.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+73.80 грн
500+55.17 грн
1000+35.87 грн
2500+34.41 грн
5000+24.17 грн
10000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S TPC8129,LQ(S Toshiba 1D32A487F58FAC413AD40B11B903B20E8F6481CFF3EF18032A7D86818C600277.pdf MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S Mosfets_Prod_Guide.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.57 грн
10+38.54 грн
100+26.07 грн
500+19.23 грн
1000+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S 2331docget.jsptypedatasheetlangenpidtpc8129.jsptypedatasheetlangenpid.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
251+73.80 грн
500+55.17 грн
1000+35.87 грн
2500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S 2331docget.jsptypedatasheetlangenpidtpc8129.jsptypedatasheetlangenpid.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
270+73.80 грн
500+55.17 грн
1000+35.87 грн
2500+34.41 грн
5000+24.17 грн
10000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPC8129,LQ(S 1D32A487F58FAC413AD40B11B903B20E8F6481CFF3EF18032A7D86818C600277.pdf
TPC8129,LQ(S
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.