TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 18.58 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8129,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TPC8129,LQ(S за ціною від 20.97 грн до 74.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8129,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V |
на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPC8129,LQ(S | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 4020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPC8129,LQ(S | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 12180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPC8129,LQ(S | Toshiba |
MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W |
на замовлення 3217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPC8129,LQ(S |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 10 V
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.78 грн |
| 10+ | 44.42 грн |
| 50+ | 32.74 грн |
| 100+ | 27.19 грн |
| 500+ | 20.97 грн |
| TPC8129,LQ(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 251+ | 74.47 грн |
| 500+ | 55.66 грн |
| 1000+ | 36.19 грн |
| 2500+ | 34.72 грн |
| TPC8129,LQ(S |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 270+ | 74.47 грн |
| 500+ | 55.66 грн |
| 1000+ | 36.19 грн |
| 2500+ | 34.72 грн |
| 5000+ | 24.38 грн |
| 10000+ | 21.14 грн |
| TPC8129,LQ(S |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
на замовлення 3217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)