TPC8132,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPC8132,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.02 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.98 грн |
| 500+ | 31.19 грн |
| 1000+ | 23.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8132,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8132,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.02 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPC8132,LQ(S за ціною від 23.29 грн до 102.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPC8132,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPC8132,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 7 A, 0.02 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 7A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
TPC8132,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |