TPC8133,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.81 грн |
| 500+ | 52.89 грн |
| 1000+ | 45.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8133,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції TPC8133,LQ(S за ціною від 38.60 грн до 146.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 9A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPC8133,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W |
на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 9A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 40V 9A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |