TPC8133,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 64.82 грн |
| 500+ | 47.92 грн |
| 1000+ | 36.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8133,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 1.9W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Інші пропозиції TPC8133,LQ(S за ціною від 36.99 грн до 159.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8133,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPC8133,LQ(S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 9 A, 0.015 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 1.9W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
на замовлення 3301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPC8133,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|