на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 46.52 грн |
| 10+ | 39.00 грн |
| 100+ | 22.88 грн |
| 250+ | 21.11 грн |
| 500+ | 17.58 грн |
| 1000+ | 15.30 грн |
| 2500+ | 12.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8227-H,LQ Toshiba
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.1A 8SOP, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції TPC8227-H,LQ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPC8227-H,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.1A 8SOPPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |