на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPC8408,LQ(S Toshiba
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 450mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції TPC8408,LQ(S за ціною від 13.24 грн до 79.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba |
MOSFETs N and P Ch 40V FET 6.1A 1.5W 850pF |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 2367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N/P-CH Si 40V 6.1A/5.3A 8-Pin SOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
TPC8408,LQ(S | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A, 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |