Продукція > TOSHIBA > TPCA8047-H(T2L1,VM
TPCA8047-H(T2L1,VM

TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba


TPCA8047_H_datasheet_en_20131101-1649786.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFET SOP-8-ADV PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 4918 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.89 грн
10+81.68 грн
100+55.21 грн
500+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCA8047-H(T2L1,VM Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc).

Інші пропозиції TPCA8047-H(T2L1,VM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPCA8047-H(T2L1,VM TPCA8047-H(T2L1,VM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8047-H(T2L1,VM TPCA8047-H(T2L1,VM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 32A 8SOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3365 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.