Продукція > TOSHIBA > TPCA8052-H(T2L1,VM
TPCA8052-H(T2L1,VM

TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba


TPCA8052_H_datasheet_en_20131101-1649594.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFET SOP-8-ADV PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 12380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.64 грн
10+66.56 грн
100+45.08 грн
500+38.19 грн
1000+29.40 грн
2500+29.33 грн
5000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCA8052-H(T2L1,VM Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPCA8052-H(T2L1,VM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPCA8052-H(T2L1,VM TPCA8052-H(T2L1,VM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCA8052-H(T2L1,VM TPCA8052-H(T2L1,VM Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.