Продукція > TOSHIBA > TPCA8057-H,LQ(M
TPCA8057-H,LQ(M

TPCA8057-H,LQ(M Toshiba


tpca8057-h_datasheet_en_20140304.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCA8057-H,LQ(M Toshiba

Description: MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPCA8057-H,LQ(M за ціною від 57.2 грн до 57.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPCA8057-H,LQ(M TPCA8057-H,LQ(M Виробник : Toshiba tpca8057-h_datasheet_en_20140304.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
205+57.2 грн
Мінімальне замовлення: 205
TPCA8057-H,LQ(M TPCA8057-H,LQ(M Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8057-H_datasheet_en_20140304.pdf?did=2576&prodName=TPCA8057-H Description: MOSFET N-CH 30V 42A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 10 V
товар відсутній