на замовлення 3108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 483+ | 25.30 грн |
| 484+ | 25.22 грн |
| 596+ | 20.50 грн |
| 1000+ | 18.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPCC8104,L1Q(CM Toshiba
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TPCC8104,L1Q(CM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TPCC8104,L1Q(CM | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |