Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPCC8105,L1Q
TPCC8105,L1Q

TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+42.84 грн
100+29.62 грн
500+24.52 грн
1000+21.00 грн
2000+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPCC8105,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V.

Інші пропозиції TPCC8105,L1Q за ціною від 19.50 грн до 75.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba TPCC8105_datasheet_en_20180515-1649721.pdf MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV MOQ=5000 PD=30W F=1MHZ
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.02 грн
10+50.17 грн
100+30.09 грн
500+25.97 грн
1000+21.85 грн
2500+20.53 грн
5000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba 739561151681405739557964663721tpcc8105_datasheet_en_20180515.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba 739561151681405739557964663721tpcc8105_datasheet_en_20180515.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 23A 8-Pin TSON EP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPCC8105,L1Q TPCC8105,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6229&prodName=TPCC8105 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.