| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.07 грн |
| 10+ | 77.24 грн |
| 100+ | 44.52 грн |
| 500+ | 35.02 грн |
| 1000+ | 32.00 грн |
| 3000+ | 28.06 грн |
| 6000+ | 27.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPCP8011,LF Toshiba
Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PS-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 940mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51.2mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPCP8011,LF за ціною від 30.46 грн до 76.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPCP8011,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR PS-Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 505 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PS-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51.2mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|