на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.34 грн |
| 10+ | 41.71 грн |
| 100+ | 23.91 грн |
| 250+ | 23.84 грн |
| 500+ | 18.54 грн |
| 1000+ | 18.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH11003NL,LQ Toshiba
Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPH11003NL,LQ за ціною від 16.54 грн до 60.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH11003NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
на замовлення 2288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPH11003NL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |