Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH11003NL,LQ
TPH11003NL,LQ

TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH11003NL_datasheet_en_20140217.pdf?did=14042&prodName=TPH11003NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.16 грн
10+37.57 грн
100+24.75 грн
500+18.02 грн
1000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH11003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH11003NL,LQ за ціною від 20.95 грн до 82.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH11003NL,LQ TPH11003NL,LQ Виробник : Toshiba 9792DB100830ED230F9C60A8FF802C93E43D963AFEF910AF95DA0F76A49209F6.pdf MOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 21W 510pF 32A 30V
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.66 грн
10+54.26 грн
100+31.00 грн
500+25.33 грн
1000+24.73 грн
3000+21.32 грн
6000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH11003NL,LQ TPH11003NL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH11003NL_datasheet_en_20140217.pdf?did=14042&prodName=TPH11003NL Description: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.