на замовлення 4951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.94 грн |
| 10+ | 151.00 грн |
| 100+ | 96.59 грн |
| 500+ | 80.74 грн |
| 1000+ | 75.39 грн |
| 5000+ | 63.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1100CQ5,LQ Toshiba
Description: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V.
Інші пропозиції TPH1100CQ5,LQ за ціною від 66.51 грн до 231.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPH1100CQ5,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 150V UMOS10-H SOP ADVANCEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| TPH1100CQ5,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 150V UMOS10-H SOP ADVANCE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 24.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 75 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|