Продукція > TOSHIBA > TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENH,L1Q(M

TPH1110ENH,L1Q(M Toshiba

558docget.jsplangenpidtph1110enhtypedatasheet.jsplangenpidtph1110enh.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.55 грн
10+92.01 грн
25+84.14 грн
50+74.17 грн
100+58.67 грн
250+50.23 грн
500+44.01 грн
1000+42.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1110ENH,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPH1110ENH,L1Q(M за ціною від 42.21 грн до 105.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M Toshiba 558docget.jsplangenpidtph1110enhtypedatasheet.jsplangenpidtph1110enh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+105.07 грн
154+92.47 грн
168+84.57 грн
184+74.53 грн
215+58.97 грн
250+50.48 грн
500+44.23 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA 3934787.pdf Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M 558docget.jsplangenpidtph1110enhtypedatasheet.jsplangenpidtph1110enh.pdf
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
135+105.07 грн
154+92.47 грн
168+84.57 грн
184+74.53 грн
215+58.97 грн
250+50.48 грн
500+44.23 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1110ENH,L1Q(M 3934787.pdf
TPH1110ENH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.