на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 36.29 грн |
| 15000+ | 33.16 грн |
| 30000+ | 30.86 грн |
| 45000+ | 28.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH12008NH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH12008NH,L1Q(M за ціною від 30.45 грн до 95.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH12008NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH12008NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH12008NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH12008NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0101 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPH12008NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 44A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |