Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH12008NH,L1Q
TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.47 грн
10+58.17 грн
100+45.25 грн
500+36.00 грн
1000+29.32 грн
2000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH12008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH12008NH,L1Q за ціною від 25.28 грн до 94.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH12008NH_datasheet_en_20220819-1139994.pdf MOSFETs N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.20 грн
10+64.13 грн
100+42.11 грн
500+33.73 грн
1000+29.81 грн
2500+28.22 грн
5000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH12008NH,L1Q TPH12008NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH12008NH_datasheet_en_20220819.pdf?did=12771&prodName=TPH12008NH Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.