на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.56 грн |
| 10+ | 65.06 грн |
| 100+ | 42.71 грн |
| 500+ | 34.22 грн |
| 1000+ | 30.24 грн |
| 2500+ | 28.63 грн |
| 5000+ | 25.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH12008NH,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPH12008NH,L1Q за ціною від 29.67 грн до 112.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH12008NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V |
на замовлення 3777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TPH12008NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 80V 24A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |