на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 654+ | 18.62 грн |
| 658+ | 18.52 грн |
| 684+ | 17.79 грн |
| 1000+ | 16.86 грн |
| 2000+ | 15.52 грн |
| 5000+ | 14.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH14006NH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TPH14006NH,L1Q(M за ціною від 29.12 грн до 92.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |