Продукція > TOSHIBA > TPH14006NH,L1Q
TPH14006NH,L1Q

TPH14006NH,L1Q Toshiba

TPH14006NH_datasheet_en_20140107-1140075.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 34A 16nC MOSFET
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.69 грн
10+70.73 грн
100+47.82 грн
500+40.54 грн
1000+31.12 грн
2500+31.05 грн
5000+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH14006NH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH14006NH,L1Q за ціною від 31.40 грн до 123.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13356&prodName=TPH14006NH Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.35 грн
10+75.48 грн
100+50.51 грн
500+37.36 грн
1000+32.81 грн
2000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Виробник : Toshiba 2955docget.jsplangenpidtph14006nhtypedatasheet.jsplangenpidtph14006nh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 34A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH14006NH,L1Q TPH14006NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH_datasheet_en_20140107.pdf?did=13356&prodName=TPH14006NH Description: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.