на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 70.86 грн |
| 201+ | 60.36 грн |
| 235+ | 51.68 грн |
| 248+ | 47.21 грн |
| 500+ | 40.92 грн |
| 1000+ | 36.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1400ANH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH1400ANH,L1Q(M за ціною від 72.69 грн до 130.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH1400ANH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 48W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0113ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
TPH1400ANH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1400ANH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0113 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
TPH1400ANH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |