Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1400ANH,L1Q
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.04 грн
10+ 75.58 грн
100+ 58.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1400ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH1400ANH,L1Q за ціною від 34.39 грн до 102.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH,L1Q Виробник : Toshiba TPH1400ANH_datasheet_en_20140217-1139958.pdf MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
на замовлення 9456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.81 грн
10+ 83.05 грн
100+ 56.05 грн
500+ 47.57 грн
1000+ 36.51 грн
5000+ 34.65 грн
10000+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH,L1Q Виробник : Toshiba 1786docget.jsplangenpidtph1400anhtypedatasheet.jsplangenpidtph1400anh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH1400ANH,L1Q TPH1400ANH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1400ANH_datasheet_en_20140217.pdf?did=12774&prodName=TPH1400ANH Description: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товар відсутній