TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.45 грн |
| 10+ | 106.66 грн |
| 100+ | 75.99 грн |
| 500+ | 59.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 19A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH1500CNH,L1Q за ціною від 50.21 грн до 191.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH1500CNH,L1Q | Виробник : Toshiba |
MOSFETs TSON-ADV 00 PD=78W 1MHz PWR MOSFET TRNS |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|