Продукція > TOSHIBA > TPH1R005PL,L1Q(M
TPH1R005PL,L1Q(M

TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA

3622627.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 170W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.98 грн
500+79.36 грн
1000+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R005PL,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 170W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH1R005PL,L1Q(M за ціною від 51.93 грн до 203.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R005PL,L1Q(M TPH1R005PL,L1Q(M Виробник : TOSHIBA 3622627.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R005PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 150 A, 800 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+203.41 грн
10+128.20 грн
100+105.98 грн
500+79.36 грн
1000+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
139+88.91 грн
148+83.97 грн
170+72.94 грн
200+67.16 грн
1000+56.89 грн
2000+51.93 грн
Мінімальне замовлення: 139
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+109.34 грн
119+104.45 грн
250+100.26 грн
500+93.19 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q(M Виробник : Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf MOSFETs Silicon N-channel MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.