TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=15643&prodName=TPH1R005PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції TPH1R005PL,L1Q за ціною від 59.74 грн до 183.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+110.77 грн
500+89.23 грн
1000+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.86 грн
10+141.11 грн
25+140.37 грн
100+134.63 грн
250+123.99 грн
500+118.39 грн
1000+117.74 грн
3000+117.11 грн
6000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.86 грн
101+140.37 грн
102+134.63 грн
250+123.99 грн
500+118.39 грн
1000+117.74 грн
3000+117.11 грн
6000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15643&prodName=TPH1R005PL Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.24 грн
10+113.77 грн
100+78.21 грн
500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Toshiba EFFB69CAC491F5BC473978A8E33CAE889239F70F3B558BA42B9F336A2B45E655.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
131+108.16 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+110.77 грн
500+89.23 грн
1000+83.38 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.86 грн
10+141.11 грн
25+140.37 грн
100+134.63 грн
250+123.99 грн
500+118.39 грн
1000+117.74 грн
3000+117.11 грн
6000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+141.86 грн
101+140.37 грн
102+134.63 грн
250+123.99 грн
500+118.39 грн
1000+117.74 грн
3000+117.11 грн
6000+116.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q docget.jsp?did=15643&prodName=TPH1R005PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.24 грн
10+113.77 грн
100+78.21 грн
500+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R005PL,L1Q EFFB69CAC491F5BC473978A8E33CAE889239F70F3B558BA42B9F336A2B45E655.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.