
TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 61.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V.
Інші пропозиції TPH1R005PL,L1Q за ціною від 55.95 грн до 202.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V |
на замовлення 7767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
TPH1R005PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |