TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R204PB,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TPH1R204PB,L1Q за ціною від 40.85 грн до 138.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
TPH1R204PB,L1Q | Toshiba |
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR |
на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| TPH1R204PB,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.03 грн |
| 156+ | 90.39 грн |
| 208+ | 67.84 грн |
| 250+ | 64.76 грн |
| 500+ | 52.65 грн |
| 1000+ | 48.22 грн |
| 3000+ | 45.91 грн |
| TPH1R204PB,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 116.67 грн |
| 10+ | 91.03 грн |
| 25+ | 90.39 грн |
| 100+ | 65.42 грн |
| 250+ | 59.97 грн |
| 500+ | 50.54 грн |
| 1000+ | 48.22 грн |
| 3000+ | 45.91 грн |
| TPH1R204PB,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.55 грн |
| 10+ | 85.17 грн |
| 100+ | 57.66 грн |
| 500+ | 43.06 грн |
| 1000+ | 40.85 грн |
| TPH1R204PB,L1Q |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




