Продукція > TOSHIBA > TPH1R204PB,L1Q
TPH1R204PB,L1Q

TPH1R204PB,L1Q Toshiba

tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+79.05 грн
156+78.27 грн
204+59.84 грн
250+57.65 грн
500+44.60 грн
1000+41.34 грн
3000+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R204PB,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPH1R204PB,L1Q за ціною від 37.02 грн до 146.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+96.73 грн
10+73.41 грн
25+72.67 грн
100+53.58 грн
250+49.57 грн
500+39.76 грн
1000+38.39 грн
3000+37.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+81.15 грн
100+55.74 грн
500+45.48 грн
1000+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R204PB_datasheet_en_20191030-2509704.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.77 грн
10+94.76 грн
100+56.57 грн
250+56.50 грн
500+45.98 грн
1000+40.76 грн
2500+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.