Продукція > TOSHIBA > TPH1R204PB,L1Q
TPH1R204PB,L1Q

TPH1R204PB,L1Q Toshiba

tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+79.24 грн
156+78.69 грн
208+59.06 грн
250+56.38 грн
500+45.83 грн
1000+41.98 грн
3000+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R204PB,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPH1R204PB,L1Q за ціною від 41.58 грн до 150.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.82 грн
10+84.91 грн
25+84.31 грн
100+61.02 грн
250+55.93 грн
500+47.14 грн
1000+44.98 грн
3000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.71 грн
10+83.24 грн
100+57.17 грн
500+46.65 грн
1000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R204PB_datasheet_en_20191030-2509704.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.54 грн
10+97.19 грн
100+58.03 грн
250+57.95 грн
500+47.16 грн
1000+41.81 грн
2500+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba tph1r204pb_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 240A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R204PB,L1Q TPH1R204PB,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=57107&prodName=TPH1R204PB Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5855 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.