TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 43.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R204PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V.
Інші пропозиції TPH1R204PL1,LQ за ціною від 41.62 грн до 152.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH1R204PL1,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V |
на замовлення 12899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPH1R204PL1,LQ | Виробник : Toshiba |
MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max) |
на замовлення 4593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPH1R204PL1,LQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
TPH1R204PL1,LQ | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 8-Pin SOP Advance(N) T/R |
товару немає в наявності |