Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R306P1,L1Q
TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=60310&prodName=TPH1R306P1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+76.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH1R306P1,L1Q за ціною від 70.08 грн до 211.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60310&prodName=TPH1R306P1 Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 14954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.34 грн
10+141.47 грн
100+103.00 грн
500+78.43 грн
1000+72.57 грн
2000+70.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R306P1_datasheet_en_20191018-2509621.pdf MOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 27898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.14 грн
10+152.29 грн
100+100.05 грн
250+87.55 грн
500+83.87 грн
1000+75.04 грн
2500+73.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Виробник : Toshiba tph1r306p1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Виробник : Toshiba tph1r306p1_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.