TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=60310&prodName=TPH1R306P1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 175°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5).

Інші пропозиції TPH1R306P1,L1Q за ціною від 74.91 грн до 231.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=60310&prodName=TPH1R306P1 Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.69 грн
10+144.98 грн
100+100.62 грн
500+76.62 грн
1000+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q TPH1R306P1,L1Q Toshiba 3542384144364235453132363643394533423235323046463238314545343646.pdf MOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 17156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q docget.jsp?did=60310&prodName=TPH1R306P1
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.28mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.69 грн
10+144.98 грн
100+100.62 грн
500+76.62 грн
1000+74.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306P1,L1Q 3542384144364235453132363643394533423235323046463238314545343646.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 17156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.