Продукція > TOSHIBA > TPH1R306PL1,LQ(M
TPH1R306PL1,LQ(M

TPH1R306PL1,LQ(M TOSHIBA

3934793.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.88 грн
500+92.56 грн
1000+81.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306PL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 1000 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH1R306PL1,LQ(M за ціною від 71.44 грн до 233.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R306PL1,LQ(M TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA 3934793.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.16 грн
10+163.82 грн
100+114.41 грн
500+86.12 грн
1000+72.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : Toshiba TPH1R306PL1,LQ(M
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+207.94 грн
94+132.85 грн
116+107.27 грн
500+97.07 грн
1000+79.57 грн
2000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.