Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R306PL1,LQ
TPH1R306PL1,LQ

TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH1R306PL1,LQ за ціною від 67.05 грн до 235.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.82 грн
10+144.95 грн
100+100.47 грн
500+76.43 грн
1000+70.69 грн
2000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba TPH1R306PL1_datasheet_en_20200626-2449286.pdf MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
на замовлення 44994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.46 грн
10+152.76 грн
100+93.21 грн
500+76.33 грн
1000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba tph1r306pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba tph1r306pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.