Продукція > TOSHIBA > TPH1R306PL1,LQ
TPH1R306PL1,LQ

TPH1R306PL1,LQ Toshiba

69F449B21F3DF97B8B5852551B57EF3E4B873CB0F9F2F3680CC154FADA28877B.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.26 грн
10+138.97 грн
100+84.24 грн
500+71.12 грн
1000+70.43 грн
2500+69.74 грн
5000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306PL1,LQ Toshiba

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH1R306PL1,LQ за ціною від 72.45 грн до 210.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
на замовлення 4584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.52 грн
10+131.96 грн
100+91.44 грн
500+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba tph1r306pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba tph1r306pl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 280A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R306PL1,LQ TPH1R306PL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69026&prodName=TPH1R306PL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.