Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R403NL,L1Q
TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
на замовлення 4879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.16 грн
10+ 78.05 грн
100+ 60.71 грн
500+ 48.29 грн
1000+ 39.34 грн
2000+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R403NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH1R403NL,L1Q за ціною від 36.33 грн до 106.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.95 грн
10+ 86.32 грн
100+ 58.72 грн
500+ 49.75 грн
1000+ 38.19 грн
2500+ 38.13 грн
5000+ 36.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Виробник : Toshiba tph1r403nl_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH1R403NL,L1Q TPH1R403NL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R403NL_datasheet_en_20191030.pdf?did=14296&prodName=TPH1R403NL Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
товар відсутній