| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.22 грн |
| 10+ | 74.40 грн |
| 100+ | 43.60 грн |
| 500+ | 41.49 грн |
| 1000+ | 40.72 грн |
| 2500+ | 37.55 грн |
| 5000+ | 35.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R403NL,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції TPH1R403NL,L1Q за ціною від 40.65 грн до 153.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH1R403NL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOPRds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) |
на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|