на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.58 грн |
| 10+ | 83.39 грн |
| 100+ | 49.25 грн |
| 500+ | 44.33 грн |
| 1000+ | 42.93 грн |
| 5000+ | 40.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R403NL,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPH1R403NL,L1Q за ціною від 40.79 грн до 154.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH1R403NL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V |
на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPH1R403NL,L1Q | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 150A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
TPH1R403NL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |