Продукція > TOSHIBA > TPH1R403NL1,LQ(M
TPH1R403NL1,LQ(M

TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+50 грн
500+ 40.34 грн
1000+ 32.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPH1R403NL1,LQ(M за ціною від 32.57 грн до 88.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R403NL1,LQ(M TPH1R403NL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 0.0012 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.67 грн
12+ 67.66 грн
100+ 50 грн
500+ 40.34 грн
1000+ 32.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
TPH1R403NL1,LQ(M Виробник : Toshiba TPH1R403NL1,LQ(M
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
158+74.02 грн
185+ 62.94 грн
216+ 53.94 грн
228+ 49.34 грн
500+ 42.67 грн
1000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 158
TPH1R403NL1,LQ(M Виробник : Toshiba PWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній