TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 142W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.
Інші пропозиції TPH1R403NL1,LQ(M за ціною від 42.46 грн до 107.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPH1R403NL1,LQ(M | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 142W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm |
на замовлення 4198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel |
на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| TPH1R403NL1,LQ(M | Toshiba |
MOSFETs Silicon N-Channel |
на замовлення 4368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| TPH1R403NL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TPH1R403NL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 107.48 грн |
| 10+ | 93.77 грн |
| 25+ | 85.61 грн |
| 50+ | 75.53 грн |
| 100+ | 59.59 грн |
| 250+ | 50.87 грн |
| 500+ | 44.52 грн |
| 1000+ | 42.46 грн |
| TPH1R403NL1,LQ(M |
![]() |
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 132+ | 107.48 грн |
| 151+ | 93.77 грн |
| 166+ | 85.61 грн |
| 181+ | 75.53 грн |
| 212+ | 59.59 грн |
| 250+ | 50.87 грн |
| 500+ | 44.52 грн |
| 1000+ | 42.46 грн |


