Продукція > TOSHIBA > TPH1R403NL1,LQ(M

TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA


3934794.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 142W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції TPH1R403NL1,LQ(M за ціною від 42.46 грн до 107.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH1R403NL1,LQ(M TPH1R403NL1,LQ(M TOSHIBA 3934794.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(M Toshiba tph1r403nl1_datasheet_en_20200626.pdf MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.48 грн
10+93.77 грн
25+85.61 грн
50+75.53 грн
100+59.59 грн
250+50.87 грн
500+44.52 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(M Toshiba tph1r403nl1_datasheet_en_20200626.pdf MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+107.48 грн
151+93.77 грн
166+85.61 грн
181+75.53 грн
212+59.59 грн
250+50.87 грн
500+44.52 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(M 3934794.pdf
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R403NL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 230 A, 1200 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 4198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(M tph1r403nl1_datasheet_en_20200626.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.48 грн
10+93.77 грн
25+85.61 грн
50+75.53 грн
100+59.59 грн
250+50.87 грн
500+44.52 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R403NL1,LQ(M tph1r403nl1_datasheet_en_20200626.pdf
Виробник: Toshiba
MOSFETs Silicon N-Channel
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
132+107.48 грн
151+93.77 грн
166+85.61 грн
181+75.53 грн
212+59.59 грн
250+50.87 грн
500+44.52 грн
1000+42.46 грн
Мінімальне замовлення: 132 шт
В кошику  од. на суму  грн.