TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 151.95 грн |
| 10+ | 93.66 грн |
| 100+ | 63.30 грн |
| 500+ | 47.31 грн |
| 1000+ | 43.42 грн |
| 2000+ | 40.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V.
Інші пропозиції TPH1R405PL,L1Q
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba |
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
TPH1R405PL,L1Q | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| TPH1R405PL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
Description: MOSFET N-CH 45V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 22.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TPH1R405PL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPH1R405PL,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
Trans MOSFET N-CH Si 45V 232A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.