Продукція > TOSHIBA > TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MD,L1Q(M

TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+88.77 грн
167+84.80 грн
250+81.40 грн
500+75.66 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 78W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції TPH1R712MD,L1Q(M за ціною від 68.04 грн до 189.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.14 грн
50+122.25 грн
250+90.25 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.14 грн
50+122.25 грн
250+90.25 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.10 грн
117+121.36 грн
200+110.07 грн
500+78.65 грн
1000+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.14 грн
50+122.25 грн
250+90.25 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.14 грн
50+122.25 грн
250+90.25 грн
1000+73.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+189.10 грн
117+121.36 грн
200+110.07 грн
500+78.65 грн
1000+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.