Продукція > TOSHIBA > TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MD,L1Q(M

TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+89.17 грн
167+85.18 грн
250+81.76 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba

Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 78W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.

Інші пропозиції TPH1R712MD,L1Q(M за ціною від 68.34 грн до 189.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M Toshiba tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+189.94 грн
117+121.90 грн
200+110.56 грн
500+79.01 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M TOSHIBA 3621105.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MD,L1Q(M TOSHIBA 3621105.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M tph1r712md_datasheet_en_20191030.pdf
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 60A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+189.94 грн
117+121.90 грн
200+110.56 грн
500+79.01 грн
1000+68.34 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M 3621105.pdf
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q(M 3621105.pdf
TPH1R712MD,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R712MD,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1700 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.