Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R003PL,LQ
TPH2R003PL,LQ

TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.48 грн
6000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPH2R003PL,LQ за ціною від 31.23 грн до 112.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba 13169docget.jspdid54498prodnametph2r003pl.jspdid54498prodnametph2r003p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba 13169docget.jspdid54498prodnametph2r003pl.jspdid54498prodnametph2r003p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.14 грн
100+46.24 грн
500+34.19 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ Toshiba C3071F3ED85215F4F579365522AB82ACAF385F1CA7062B3F018BF8982AB79C7A.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ 13169docget.jspdid54498prodnametph2r003pl.jspdid54498prodnametph2r003p.pdf
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ 13169docget.jspdid54498prodnametph2r003pl.jspdid54498prodnametph2r003p.pdf
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 100A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ docget.jsp?did=54498&prodName=TPH2R003PL
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+69.14 грн
100+46.24 грн
500+34.19 грн
1000+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R003PL,LQ C3071F3ED85215F4F579365522AB82ACAF385F1CA7062B3F018BF8982AB79C7A.pdf
TPH2R003PL,LQ
Виробник: Toshiba
MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.