TPH2R104PL,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.89 грн |
| 500+ | 56.01 грн |
| 1000+ | 47.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R104PL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції TPH2R104PL,LQ(S за ціною від 35.16 грн до 147.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TPH2R104PL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R104PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1600 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 116W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| TPH2R104PL,LQ(S | Виробник : Toshiba | TPH2R104PL,LQ(S |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|