Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R104PL,LQ
TPH2R104PL,LQ

TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R104PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPH2R104PL,LQ за ціною від 38.30 грн до 148.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL,LQ Виробник : Toshiba TPH2R104PL_datasheet_en_20160617-1916446.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 50113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.94 грн
10+73.50 грн
100+44.69 грн
500+38.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R104PL_datasheet_en_20160617.pdf?did=53315&prodName=TPH2R104PL Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 20 V
на замовлення 11371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.56 грн
10+91.25 грн
100+61.65 грн
500+45.95 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R104PL,LQ TPH2R104PL,LQ Виробник : Toshiba 4664docget.jspdid53315prodnametph2r104pl.jspdid53315prodnametph2r104p.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.