TPH2R306NH,L1Q

Код товара: 149945
Производитель:
Транзисторы - Полевые N-канальные

htmlspecialchars($datasheet_name)
В наличии/под заказ

Техническое описание TPH2R306NH,L1Q

Цена TPH2R306NH,L1Q от 41.97 грн до 458.6 грн

TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q
Производитель: Toshiba
MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 5157 шт
срок поставки 7-21 дня (дней)
5+ 86.84 грн
10+ 68.75 грн
100+ 53.85 грн
500+ 41.97 грн
TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
Package / Case: 8-PowerVDFN
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 4661 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
4+ 126.97 грн
10+ 114.27 грн
25+ 100.09 грн
100+ 78.06 грн
250+ 76.06 грн
500+ 60.97 грн
1000+ 51.73 грн
2500+ 51 грн
TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Дополнительная плата за катушку в размере $7)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 30V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Package / Case: 8-PowerVDFN
htmlspecialchars($datasheet_name)
под заказ 4661 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
2+ 458.6 грн
10+ 147.43 грн
25+ 112.41 грн
100+ 81.14 грн
250+ 77.29 грн
500+ 61.54 грн
1000+ 52.02 грн
2500+ 51.11 грн
TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 30V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
TPH2R306NH,L1Q
Производитель: Toshiba
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
htmlspecialchars($datasheet_name)
товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину