Інші пропозиції TPH2R306NH,L1Q за ціною від 49.79 грн до 188.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOPSupplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V |
на замовлення 5003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
TPH2R306NH,L1Q | Toshiba |
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET |
на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| TPH2R306NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.89 грн |
| 10+ | 105.97 грн |
| 100+ | 72.51 грн |
| 500+ | 54.59 грн |
| 1000+ | 54.04 грн |
| TPH2R306NH,L1Q |
|
Виробник: Toshiba
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
MOSFETs U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.71 грн |
| 10+ | 120.50 грн |
| 100+ | 71.03 грн |
| 500+ | 57.25 грн |
| 1000+ | 52.96 грн |
| 2500+ | 52.11 грн |
| 5000+ | 49.79 грн |