Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R408QM,L1Q
TPH2R408QM,L1Q

TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+47.86 грн
10000+44.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R408QM,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V.

Інші пропозиції TPH2R408QM,L1Q за ціною від 46.71 грн до 174.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Виробник : Toshiba tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Виробник : Toshiba tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+62.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Виробник : Toshiba 2E24A6C73B317E19DA9178DF9258311A4D7AE7C29EF88F03A9C5C600464C0467.pdf MOSFETs SOP8 N-CH 80V 120A
на замовлення 81344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.20 грн
10+107.44 грн
100+64.15 грн
500+52.01 грн
1000+51.04 грн
5000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R408QM_datasheet_en_20211224.pdf?did=67915&prodName=TPH2R408QM Description: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
на замовлення 20353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.92 грн
10+108.01 грн
100+73.74 грн
500+55.43 грн
1000+51.00 грн
2000+50.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,L1Q TPH2R408QM,L1Q Виробник : Toshiba tph2r408qm_datasheet_en_20211224.pdf Trans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.