Продукція > TOSHIBA > TPH2R408QM,LQ(M1
TPH2R408QM,LQ(M1

TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

3934798.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.74 грн
500+89.61 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH2R408QM,LQ(M1 за ціною від 76.19 грн до 215.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R408QM,LQ(M1 TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : TOSHIBA 3934798.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0019 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+215.86 грн
10+144.75 грн
100+111.74 грн
500+89.61 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH2R408QM,LQ(M1
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.97 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba LVMOS SOP8-ADV, ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.