Продукція > TOSHIBA > TPH2R408QM,LQ(M1
TPH2R408QM,LQ(M1

TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

3934798.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.62 грн
500+84.52 грн
1000+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції TPH2R408QM,LQ(M1 за ціною від 70.59 грн до 210.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH2R408QM,LQ(M1 TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : TOSHIBA 3934798.pdf Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.39 грн
10+123.66 грн
100+105.62 грн
500+84.52 грн
1000+70.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH2R408QM,LQ(M1
на замовлення 3417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R408QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba LVMOS SOP8-ADV, ACTIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.