Продукція > TOSHIBA > TPH2R408QM,LQ(M1

TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

на замовлення 2601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис TPH2R408QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 210W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції TPH2R408QM,LQ(M1 за ціною від 132.06 грн до 132.06 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

TPH2R408QM,LQ(M1

TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

на замовлення 2601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

TPH2R408QM,LQ(M1

Toshiba

TPH2R408QM,LQ(M1

на замовлення 3417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 107 шт

В кошику од. на суму грн.

TPH2R408QM,LQ(M1

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm

на замовлення 2601 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

TPH2R408QM,LQ(M1

Виробник: Toshiba
TPH2R408QM,LQ(M1

на замовлення 3417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
107+	132.06 грн

Мінімальне замовлення: 107 шт

В кошику од. на суму грн.